Полупроводник – вещество, основным свойством которого является сильная зависимость удельной проводимости от воздействия внешних энергетических факторов (температуры, электрического поля, света и др.).
Полупроводники занимают по электропроводности промежуточное положение между металлами ( 1/Ом·см) и диэлектриками ( 1/Ом·см).
В твердотельных электронных приборах используются полупроводники с ковалентной и ионной связями между атомами. Ковалентные полупроводники применяют, как правило, в виде монокристаллов, а ионные – в виде поликристаллов. В качестве ковалентных используются:
· простые полупроводники, входящие в IV группу периодической системы элементов, – германий (Ge), кремний (Si), алмаз (С);
· бинарные и тройные соединения – арсенид галлия (GaAs), арсенид галлия-алюминия (GaAlAs), фосфид индия (InP), карбид кремния (SiC) и др.
Как правило, берется металл из третьей группы, а неметалл – из пятой группы периодической системы элементов. В качестве ионных полупроводников применяют обычно оксиды металлов переходной группы. В дальнейшем основное внимание будем уделять приборам на основе ковалентных полупроводников, поскольку они нашли наиболее широкое применение на практике.
Особенность электропроводности полупроводников обусловливается спецификой распределения по энергиям электронов атомов, которое характеризуется энергетической диаграммой полупроводника.
Сначала познакомимся с энергетической диаграммой изолированного атома.
В соответствии с принципами квантовой механики электроны атома могут обладать определенными значениями энергии или находиться на определенных (разрешенных) энергетических уровнях (рис. 1.1, а). В изолированном атоме существует конечное число энергетических уровней, на каждом из которых могут одновременно находиться не более двух электронов, различающихся направлением спиновых моментов (принцип Паули). Электроны низших уровней сильно связаны с атомом. По мере увеличения энергии уровня, занимаемого электроном, эта связь ослабевает.
В отсутствие внешних воздействий, увеличивающих энергию электронов, атом находится в исходном (невозбужденном) состоянии, при котором все низшие энергетические уровни заняты электронами, а верхние – свободны. При наличии внешних воздействий (тепловых квантов – фононов, квантов света – фотонов, электрического или магнитного поля и др.) электроны атома приобретают дополнительную энергию и переходят на более высокие энергетические уровни (т.е. происхо
дит возбуждение атома) или вовсе освобождаются от атома и становятся свободными, не связанными с атомом (т.е. происходит ионизация атома). При этом внешнему воздействию более подвержены электроны высоких энергетических уровней, слабее – связанные с атомом.
Согласно квантовой теории энергетическая диаграмма группы близко расположенных однотипных атомов претерпевает изменения по сравнению с изолированным атомом (рис. 1.1, б). Вследствие взаимодействия атомов друг с другом разрешенные уровни энергии электронов соседних атомов смещаются, образуя близко расположенные смещенные уровни энергии – подуровни. При этом смещению подвергаются и уровни высоких энергий, где электроны слабо связаны с атомами. Подуровни образуют так называемые зоны разрешенных уровней энергии, которые отделены друг от друга запрещенными зонами. Число подуровней в каждой из разрешенных зон равно количеству атомов в группе. Ширина энергетических зон достигает определенных значений, поскольку взаимодействие между атомами проявляется лишь до некоторого расстояния между ними.
Энергию в твердотельной электронике удобно измерять в электрон-вольтах (эВ), поскольку в этих единицах характерные значения энергии легко запоминаются и можно сравнить вид вольт-амперных характеристик (ВАХ) полупроводниковых приборов в зависимости от используемых полупроводников. Заметим, что энергию 1 эВ приобретет электрон, если пройдет в вакууме ускоряющую разность потенциалов в 1 В. Для пересчета энергии в джоули необходимо энергию в электрон
-вольтах умножить на величину заряда электрона q = 1,62·10-19 Кл.
Энергетическую зону или совокупность нескольких перекрывающихся энергетических зон, которые образовались в результате расщепления одного или нескольких энергетических уровней отдельного атома, называют разрешенной зоной. Электроны в твердом теле могут иметь энергии, соответствующие разрешенной зоне. Верхний энергетический уровень разрешенной зоны называют потолком, нижний – дном. Характерные энергетические промежутки между уровнями в разрешенных зонах равны: эВ, а ширина самих зон составляет 1 эВ.
Энергетические уровни валентных электронов при расщеплении образуют валентную зону. Разрешенные энергетические уровни, свободные от электронов в невозбужденном состоянии атома, расщепляясь, образуют одну или несколько свободных зон. Нижнюю из свободных зон называют зоной проводимости.