10.2.3.                   Гибридные ИС

Пленочные, а значит, и гибридные ИС в за­висимости от технологии изготовления делятся на толсто- и тонкопленочные.

Толстопленочные ГИС (обозначим их ТсГИС) изготавливают­ся весьма просто. На диэлектрическую пластинку-подложку на­носят пасты разного состава. Проводящие пасты обеспечивают межсоединения элементов, обкладки конденсаторов и выводы к штырькам корпуса; резистивные – получение резисторов; диэ­лектрические – изоляцию между обкладками конденсаторов и общую защиту поверхности готовой ГИС. Каждый слой должен иметь свою конфигурацию, свой рисунок. Поэтому при изготов­лении каждого слоя пасту наносят через свою маску (трафа­рет) с окнами в тех местах, куда должна попасть паста данно­го слоя. После этого приклеивают навесные компоненты и сое­диняют их выводы с контактными площадками.

Тонкопленочные ГИС (обозначим их ТкГИС) изготавливают­ся по более сложной технологии, чем ТсГИС. Классическая тонкопленочная технология характерна тем, что пленки осаж­даются на подложку из газовой фазы. Вырастив очередную пленку, меняют химический состав газа и, тем самым, электро­физические свойства следующей пленки. Таким образом, поочередно получают проводящие, резистивные и диэлектрические слои. Конфигурация (рисунок) каждого слоя определяется либо трафаретом, как в случае ТсГИС, либо маской, подобно окисной маске в полупроводниковых ИС (см. рис.143).

Навесные элементы в ТкГИС, как и в ТсГИС, приклеивают на поверхность готовой пленочной части схемы и соединяют с соответствующими контактными площадками элементов.

Степень интеграции ГИС не может оцениваться так же, как в случае полупроводниковых ИС. Тем не менее, существует тер­мин большая ГИС (или БГИС), который означает, что в состав ГИС в качестве навесных компонентов входят не отдельные транзисторы, а целые полупроводниковые ИС.