10.3.    Тензотранзисторы

Тензотранзистор представляет собой транзистор, чувствительный к изменению деформации. По сравнению с обычными транзисторами тензотранзисторы имеют низкий коэффициент передачи тока (~5).

Колпачок корпуса тензотранзистора выполняют в виде чувствительной к давлению диафрагмы, которая пе­редает давление на эмиттерный переход, вызывая деформацию кристалла (рис. 10.4).

Прибор можно применять в усилителях переменного тока в схе­ме с общим эмиттером, при этом коэффициент усиления его будет модулироваться механической нагрузкой.

В транзисторе (рис. 10.5) предусмотрены три выступа диаметром 10 мкм и высотой 10 мкм, расположенных на вершинах правильного треугольника, вписанного в окружность диаметром 0,6 мм. На выступах помещен диск из же­сткого материала. Транзистор чувствите­лен к механическим колебаниям от 0 до 100 кГц, поэтому он может быть применен в качестве быстродействующего переключателя,  микрофона,   звукоснимателя и т.д.

При воздействии давления на эмит­тер тензотранзисторов происходит умень­шение коэффициента усиления по току и тока эмиттера. Транзистор с переходом Шотки отличается от обычных тензо­транзисторов тем, что давление в нем прикладывается не к области эмиттера, а к области базы, в результате чего он не влияет на коэффициент усиления по току.

Действие прибора основано на эф­фекте увеличения обратного тока диода с переходом Шотки при увеличении давления. Переход Шотки получают путем нанесения молибдена на кремний n-типа. Изменение выходного тока ли­нейно зависит от давления, приложен­ного к молибденовому электроду.

В основе конструкции тензотранзистора с переходом Шотки лежит кремниевый планарный транзи­стор типа п-р-п с кольцевым эмиттером (рис. 10.6). Контакты к эмиттеру и коллектору выполняют обычным способом: к эмиттеру – пу

тем напыления алюминия через окно в пассивирующем слое дву­окиси кремния, к коллектору – с тыльной стороны пластины. Кроме того, создается контакт к центральной части базы путем на­несения молибдена через окно в двуокиси кремния. К молибденово­му контакту прижимается сапфировая игла, которая служит для передачи давления на прибор.

Между выводами эмиттера и базы подается напряжение такой по­лярности, чтобы эмиттерный переход был смещен в прямом направ­лении. При этом переход Шотки между молибденовым контактом и реальной базой транзистора оказывается смещенным в обратном направлении.

При подаче давления на иглу обратный ток диода Шотки, а следовательно, и базовый ток транзистора возрастают, ток коллектора при этом пропорционально увеличивается. ВАХ  транзистора приведены на рис. 10.7.

Транзистор применяют в устройствах бесконтактного управления и регулирования.