10.  БЕСТРАНСФОРМАТОРНЫЕ   МОЩНЫЕ   ВЫХОДНЫЕ КАСКАДЫ

            Бестрансформаторные выходные каскады получили преимущественное распространение. Они позволяют осуществить непо­средственную связь с нагрузкой, что дает возможность обойтись без громоздких трансформаторов и разделительных конденсаторов; имеют хорошие частотные и амплитудные характеристики; легко могут быть выполнены по интегральной технологии. Кроме того, в связи с отсутствием частотно-зависимых элементов в цепях связи между каскадами можно  вводить глубокие общие отрицательные ОС как по переменному, так и по постоянному токам, что существенно улучшает характеристики преобразования всего устройства. При этом обеспечение устойчивости усилительного устройства может быть достигнуто введением простейших корректирующих цепей.

            Бестрансформаторные мощные выходные каскады собирают в основном по двухтактным схемам на транзисторах, работающих в режиме В или АВ и включенных по схемам с ОК или ОЭ. В этих схемах возможно сочетание в одном каскаде либо одинаковых транзисторов, либо транзисторов с разным типом электропроводности. Каскады, в которых использованы транзисторы с разным типом электропроводности (р-п-р и п-р-п), называются каскадами с дополнительной симметрией. 

Одна из возможных схем усилительного каскада с дополнительной симметрией показана на рис. 10.1, а. При отсутствии входного сигнала ток в сопротивлении нагрузки RH практически отсутствует, так как небольшие начальные токи, протекающие через транзисторы VT1 и VT2, взаимно вычитаются.

            Эти токи обусловлены смещением, созданным падением напряжения на сопротивлении R2. Если транзисторы VT1 и VT2 идентичны по параметрам, то потенциалы точек А и Б относительно эмиттеров   соответствующих  транзисторов  (точка  В)  рав

ны  и  . В этом случае через транзисторы протекает одинаковый ток, а в сопротивлении нагрузки он отсутствует. Если транзисторы VT1 и VT2 имеют различные параметры, например ток 0,5 мА через транзистор VT1 протекает при напряжении смещения UБЭО = 0,3 В, а через транзистор VT2 при UБЭ = 0,5 В, то потенциалы точек А и Б относительно точки В должны быть равны соответственно -0,3, +0,5 В. Общее падение напряжения на сопротивлении R2 равно 0,8 В.            

            Для определения напряжения смещения необходимо знать характеристики транзисторов и предварительно задаться значе­нием тока IК0 транзисторов VT1, VT2. Этому току коллектора соответствуют определенный ток базы IБО и напряжение UБЭО. Ток делителя напряжений выбирают в 5 – 10 раз больше базовых   токов   транзисторов    VT1,    VT2.   Это  обеспечивает малое изменение потенциалов баз при температурных измене­ниях их токов. По выбранному току делителя определяют сопротивления

            Так как R2 мало (несколько сотен Ом), то можно считать, что базы транзисторов по переменному току соединены непосредственно между собой. Для уменьшения сопротивления R2 по переменному току оно может быть шунтировано конденсатором. Однако чаще всего вместо него включают полупроводниковый диод или несколько последовательно соединенных диодов, обеспечивающих требуемое падение напряжения при заданном токе делителя и в то же время имеющих малое дифференциальное сопротивление. Количество диодов определяют с помощью их вольт-амперных характеристик. Так, если при токе делителя I падение напряжения на диоде равно 0,26 В, то для получения смещения 0,8 В необходимо поставить три диода. Замена R2 диодами повышает тем­пературную стабильность каскада. Это связано с тем, что при изменении температуры потенциал UБЭО  транзисторов, при котором обеспечивается требуемый ток базы, уменьшается приблизительно на 2,2 мВ/град. Если при этом смещение остается постоянным, то ток покоя увеличивается. Так как с изменением температуры падение напряжения на диодах изменя