11.4.    Магнитотранзисторы

Магнитотранзистор – это транзистор, в котором используется зависимость его характеристик и параметров от магнитного поля.

Обычно биполярные транзисторы малочувствительны к маг­нитному полю, так как поперечное магнитное поле приводит толь­ко к искривлению траекторий дви­жения неосновных носителей заря­да, идущих через базу от эмиттера к коллектору, что эквивалентно умень­шению эффективной подвижности неосновных носителей в базе тран­зистора. В связи с малой толщиной базы в обычных биполярных тран­зисторах практически все инжекти­рованные эмиттером носители дости­гают коллектора, несмотря на ис­кривление траекторий их движения магнитным полем. Другой физиче­ской причиной изменения парамет­ров биполярных транзисторов в маг­нитном поле является изменение сопротивления базы транзистора. Для увеличения чувствительности к магнитному полю биполярные магнитотранзисторы делают с двумя коллекторными переходами (рис. 11.7).

Без магнитного поля половина инжектированных носителей заряда попадает на один коллектор, половина – на другой. Магнитное поле отклоня­ет носители от одного коллектора к другому. По изменению токов первого и второго коллекторов можно оценить или измерить магнитную индукцию поперечного магнитного поля, используя для этого, например, своеобразную мостовую схему (рис. 11.7).

Биполярные магнитотранзисторы в диапазоне слабых магнит­ных полей могут иметь магнитную чувствительность, на несколь­ко порядков большую магнитной чувствительности преобразова­телей Холла.

Магнитодиоды и магнитотранзисторы находят широкое применение в промышленности:

· для измерения магнитных полей (флюксметры) и для определе­ния их направления (компасы);

· в приборах, основанных на использовании напряженности магнитного поля (тахометры, генераторы частоты, микрофоны, про­игрыватели, измерители шероховатости, микрометры);

· в приборах, где используется изменение магнитного поля (мо­дуляторы с амплитудой и частотой модуляции, схемы автоматичес­кого регулирования усиления, устройства памяти);

· в датчиках электрических сигналов при измерении неэлектри­ческих величин (линейных и угловых перемещений, скорости и ус­корения).