Донорные и акцепторные примеси в полупроводниках так же, как и гетеропереходы, образованные различными полупроводниками или полупроводником и диэлектриком, неизбежно индуцируют локальное перераспределение зарядов. Bозникающее в результате этого внутреннее электрическое поле используют для создания потенциальных барьеров, ограничивающих движение электронов в наноразмерных областях. Данный подход может быть охарактеризован как «электронное» формирование наноструктур. Среди структур с квантовым ограничением, создаваемым внутренним электрическим полем, наибольшее распространение получили квантовые колодцы, модуляционно-легированные структуры и дельта-легированные структуры.
