2.7.      Методы создания p-n-переходов

При изготовлении диодов полупроводниковые р-п-структуры соз­даются по сплавной или диффузионной технологии (сплавные и диф­фузионные диоды). Сплавная технология дает большой разброс параметров и считается устаревшей.

Диффузионная технология нашла наибольшее при­менение при изготовлении кремниевых диодов, в частности р-п-переходов для диодов средней и большой мощности. Исходным материалом здесь является кремний n-типа. Для создания р-слоя исполь­зуют диффузию акцепторной примеси (бора или алюминия) через поверхность исходного материала. Диффузия может производиться из трех состояний акцепторного вещества: твердого, жидкого или газообразного. При диффузионном методе достигаются достаточно точная воспроизводимость глубины р-слоя и концентрации примеси в нем на большой площади p-n-перехода, что важно для получения требуемых параметров диодов.