При изготовлении диодов полупроводниковые р-п-структуры создаются по сплавной или диффузионной технологии (сплавные и диффузионные диоды). Сплавная технология дает большой разброс параметров и считается устаревшей.
Диффузионная технология нашла наибольшее применение при изготовлении кремниевых диодов, в частности р-п-переходов для диодов средней и большой мощности. Исходным материалом здесь является кремний n-типа. Для создания р-слоя используют диффузию акцепторной примеси (бора или алюминия) через поверхность исходного материала. Диффузия может производиться из трех состояний акцепторного вещества: твердого, жидкого или газообразного. При диффузионном методе достигаются достаточно точная воспроизводимость глубины р-слоя и концентрации примеси в нем на большой площади p—n-перехода, что важно для получения требуемых параметров диодов.