2.9.1.      Особенности переходов Шотки

Характерной особенностью выпрямляющего перехода Шотки в отличие от p-n-перехода является разная высота потенциаль­ных барьеров для электронов и дырок. В результате, через пере­ход Шотки может не происходить инжекции неосновных носите­лей заряда в полупроводник.

При включе­нии такого перехода в прямом направлении (рис. 2.14, б) высота потенциального барьера для дырок (ПБД) в приконтактной области полу­проводника понижается, дырки будут переходить из полупроводника в ме­талл. Чем больше прямое напряжение, тем больше вероятность такого пере­хода дырок. Однако при этом высота потенциального барьера для электро­нов (ПБЭ), которые могут двигаться из металла в полупроводник, остается еще относительно большой. Поэтому поток электронов из металла в полу­проводник будет относительно малым, т.е. практически не будет инжекции неосновных носителей заряда в полу­проводник.

При другой полярности внешнего напряжения (при обратном напряже­нии) потенциальный барьер для дырок повышается (рис. 2.14, в), и их движе­ние через переход прекращается. Для неосновных носителей заряда (для электронов в данном примере) поле в переходе оказывается ускоряющим. Поэтому, проходя через переход, неосновные носи­тели заряда образуют обратный ток, который будет мал из-за малой концентрации неосновных носителей в полупровод­нике.

Если разница в работах выхода велика, то в приконтактной области полупроводника образуется инверсный слой (см. рис. 2.13, б). В этом случае при малых прямых напряжениях через такой переход будет происходить инжекция неосновных носителей заряда из инверсного слоя в прилегающий объем полу­проводника. При больших прямых напряжениях инверсный слой может исчезнуть.