Наноэлектроника


1.    ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЯВЛЕНИЯ


1.1.   Квантовое ограничение


1.2.   Баллистический транспорт носителей заряда


1.3.   Туннелирование носителей заряда


2.    ЭЛЕМЕНТЫ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР


2.1.   Свободная поверхность и межфазные границы


2.2.   Сверхрешетки


2.3.   Моделирование атомных конфигураций


2.4.   Структуры с квантовым ограничением за счет внутреннего электрического поля


2.4.1. Квантовые колодцы


2.4.2. Модуляционно-легированные структуры


2.4.3. Дельта-легированные структуры


2.5.   Структуры с квантовым ограничением за счет внешнего электрического поля


2.5.1. Структуры металл/диэлектрик/полупроводник


2.5.2. Структуры с расщепленным затвором


3.    ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ


3.1.   Традиционные методы осаждения пленок


3.1.1. Химическое осаждение из газовой фазы


3.2.   Методы, использующие сканирующие зонды


3.2.1. Физические основы зондовых технологий


3.2.2. Атомная инженерия


3.2.3. Параллельные процессы


3.2.4. Перпендикулярные процессы


3.2.5. Локальное окисление металлов и полупроводников


3.3.   Локальное химическое осаждение из газовой фазы


3.4.   Лазерное наноманипулирование


3.5.   Нанолитография


3.6.   Электронно-лучевая литография


3.7.   Профилирование резистов сканирующими зондами


3.8.   Нанопечать


3.9.   Сравнение нанолитографических методов


3.10.1.        Суть процессов самоорганизации


3.10.2.        Самоупорядочение


3.10.4.        Самосборка при эпитаксии


3.10.5.        Осаждение пленок Лэнгмюра-Блоджетт


3.11. Формирование наноструктурированных материалов


3.11.1.        Пористый кремний


3.11.2.        Пористый оксид алюминия и структуры на его основе


3.12. Углеродные нанотрубки