Размеры элементов интегральных микросхем определяются главным образом литографическими процессами. Этот технологический домен постоянно развивается для того, чтобы отвечать все возрастающим требованиям микро- и наноэлектроники. В нанометровом диапазоне размеров используют два основных подхода. Первый берет свое начало из микроэлектронной технологии и использует принципы оптической, рентгеновской и электронно-лучевой литографии. Уменьшение длины волны света, используемого для экспонирования фоторезиста, так же, как и применение рентгеновского излучения и электронных потоков, обеспечивает создание рисунков с размером элементов менее 100 нм. Другой подход является типично нанотехнологическим, поскольку основывается на использовании сканирующего зонда – инструмента, обладающего самым высоким разрешением и позволяющего манипулировать даже индивидуальными атомами. Полагая, что читатель уже знаком с обычной оптической литографией, хорошо представленной в учебниках по микроэлектронике, в данном разделе мы рассмотрим другие литографические процессы, подходящие для создания рисунка с нанометровыми размерами.
