4.1.      Физические процессы в транзисторах

Рассмотрим упрощенную структуру плоскостного p-n-p-транзистора (рис. 4.1).

В усилительных схемах на резисторах к одному переходу прикладывают прямое напряжение, к другому – обратное. При этом переход, к которому при нормальном включении приложено прямое напряжение, называют эмиттерным, а соответству­ющий наружный слой – эмиттером (Э); средний слой называ­ют базой (Б) (рис. 4.1).

Второй переход, смещенный приложенным напряжением в обратном направлении, называют коллектор­ным, а соответствующий наружный слой – коллектором (К). На условном обозначении транзистора (рис. 4.1, б) эмиттер обозначают стрелкой, направление которой указывает тип проводимости.

Транзисторы изготавливаются различными методами (рис. 4.2).

Транзисторы, в которых площадь соприкосновения полупроводниковых слоев относительно большая, называют плоскостными, в противном случае – точечными.

Однотипность слоев коллектора и эмиттера позволяет при включении менять их местами. Такое включение называется инверсным. При инверсном включении параметры транзистора существенно отличаются от параметров при нормальном включении, в частности уменьшаются коэффициенты усиления прибора.

При изготовлении транзисторов эмиттер и коллектор выпол­няют низкоомными, а базу – относительно высокоомной (де­сятки – сотни ом). При этом удельное сопротивление области эмиттера несколько меньше, чем области коллектора.

Все положения, рассмотренные ранее для единичного р-n-перехода, справедливы для каждого из p-n-переходов тран­зистора.