4.2.4. Выбор элементов схемы

Выбор транзистора производится из ряда соображений:

1 При запирании транзистора на его базу передается положительный перепад напряжения Um » ЕК. Потенциал коллектора при этом стремится к -ЕК. Поэтому максимально допустимое напряжение между коллектором и базой транзистора должно быть

UКб ДОП ³ К.

2 Максимальная частота колебаний мультивибратора fmax зависит от частоты транзистора fb. У выбранного транзистора должно быть

fb ³ 0,7 fmax.

3 Чтобы обеспечить заданную длительность положительного перепада – длительность среза tС, частота транзистора fa должна соответствовать условию

fa ³ 1/ tC.

4 Напряжение источника питания берут равным

ЕК =(1,1 ¸ 1,2) Um,

с тем чтобы изменение потенциала коллектора не было меньше заданной амплитуды импульса Um.

5 Сопротивление резистора RK выбирают с таким расчетом, чтобы ток открытого транзистора не превышал максимально допустимого

IКН » ЕК / RK £ IK ДОП.

С другой стороны, падение напряжения на резисторе RK от обратного тока коллектора не должно превышать (0,05 ¸ 0,1)ЕК, т. е.

откуда

где – обратный ток при максимальной рабочей температуре. При выполнении этого условия потенциал коллектора запертого транзистора (и, следовательно, амплитуда выходного импульса) мало отличается от ЕК.

6. Сопротивление резистора Rб следует выбирать с таким расчетом, чтобы обеспечить неглубокое насыщение транзистора (S » 2):

откуда

Rб = bRK / S.

7 Емкость конденсаторов С выбирается в соответствии с заданной длительностью импульсов

С1 = tИ2 /0,7, С2 = tИ1 /0,7.