Если при поглощении полупроводником кванта оптического излучения электрон переходит из валентной зоны в зону проводимости, то поглощение называют собственным. Если под действием оптического излучения электрон переходит с примесных уровней донорной примеси в зону проводимости или из валентной зоны на примесный уровень акцепторной примеси, то поглощение называют примесным. Из-за процессов поглощения интенсивность падающего на поверхность кристалла излучения будет уменьшаться.
Количество поглощенной энергии (dI) будет пропорционально интенсивности падающего излучения (I) и толщине слоя поглощения (dx):
. (4.1).
Это выражение удобнее записать в такой форме:
,
где – коэффициент пропорциональности, показывающий скорость изменения интенсивности светового потока при прохождении его через полупроводник и называемый коэффициентом поглощения света.
При dx =1, , т.е. коэффициент поглощения численно равен относительному изменению интенсивности излучения на единице длины. Интегрируя выражение (4.1), получаем:
,
где – начальная интенсивность излучения.
Чем больше коэффициент поглощения, тем сильнее полупроводник поглощает свет. Коэффициент поглощения зависит от частоты излучения. Зависимость этого коэффициента от энергии или длины волны падающего света называют спектром поглощения.
Спектр поглощения полупроводников состоит из области собственного поглощения и области примесного поглощения (рис. 4.3). Собственная полоса поглощения простирается от
очень малых длин волн и имеет четко выраженную границу. Эта граница соответствует минимальной энергии фотона, который может перевести электрон из валентной зоны в зону проводимости, и называется красной границей фотоэффекта. Длина волны, соответствующая красной границе, определяется по формуле:
.
При собственном поглощении для полупроводника с прямыми долинами при вертикальных переходах энергия фотона должна быть не меньше ширины запрещенной зоны, то есть
.
Для сильно легированного полупроводника n-типа когда уровень Ферми расположен выше края зоны проводимости на величину , нижняя граница фотопроводимости будет соответствовать:
.
В сильно легированном полупроводнике p-типа уровень Ферми лежит на величину ниже края валентной зоны, поэтому
.
Переход электронов может происходить с любых уровней валентной зоны на любые уровни зоны проводимости. Кроме того, переходить могут электроны и из более глубоких заполненных зон. Поэтому область собственного поглощения имеет довольно широкий диапазон частот. Фотопроводимость, однако, наблюдается только вблизи красной границы.
Сначала с ростом частоты излучения фотопроводимость возрастает за счет увеличения коэффициента поглощения (в этой области он может достигать значений порядка 104 – 107 см-1), но с увеличением коэффициента поглощения все большее количество фотонов поглощается в тонком приповерхностном слое полупроводника. Концентрация фотоносителей в этом слое резко увеличивается, что приводит к росту скорости поверхностной рекомбинации и уменьшению времени жизни носителей заряда. Постепенно практически все фотоносители рекомбинируют, и фотопроводимость исчезает.
Для реализации переходов электронов п