4.5.2. Элементы схемы блокинг-генератора

Транзистор. Частота f_a выбираемого транзистора должна удовлетворять условию

f_a ³ (3 ¸ / t_И,

где t_И – длительность генерируемого импульса.

При этом фронты импульса, длительность которых составляет обычно несколько t_a (t_a = ), имеют высокую крутизну.

Напряжения и токи в схеме должны укладываться в предельно допустимый режим транзистора.

Максимально допустимое напряжение U_{КЭ ДОП} между коллектором и эмиттером транзистора должно превышать U_КЭmax

U_{КЭ ДОП} > U_КЭmax = KE_К,                                              (4.9)

где К = 1,2 ¸ 1,6 (обычно принимаемое значение) учитывает выброс, за счет которого напряжение на транзисторе u_К (по абсолютному значению) больше Е_К (см. рис. 4.14). При наличии шунтирующей цепочки Д – R_Ш (см. рис. 4.13) можно принять К = 1.

Величина Е_К должна несколько превышать ЭДС е_Кmax в коллекторной обмотке. Значение е_Кmax связано с требуемой амплитудой импульса U_mH на нагрузочной обмотке:

е_Кmax = U_mH / n_H,

где n_H = W_H / W_K – коэффициент трансформации.

С учетом сказанного в выражение (4.9) должно быть подставлено значение

Максимально допустимое напряжение U_{бК ДОП} между базой и коллектором транзистора – даже при наличии шунтирующей цепочки Д – R_Ш, когда выброс ограничен, должно превышать разность потенциалов u_б – u_К (4.6) в конце формирования среза импульса, когда

u_б » U_Cmax » е_бmax » n_б Е_К; u_К » — Е_К;  u_бК » Е_К(n_б + 1).

Таким образом, должно выполняться условие

U_{бК ДОП} ³ Е_К(n_б + 1).

Максимально допустимое напряжение U_{бЭ ДОП} между базой и эмиттером транзистора должно превышать (см. рис. 4.14) u_бmax » U_Cmax » Е_Кn_б , т.е. должно выполняться неравенство U_{бЭ ДОП} ³ Е_К n_б.

Максимально допустимый ток транзистора I_{К ДОП} должен быть больше тока, значение которого определяется равенством (4.5)

I_mK = I_mH × n_H + I_б×n_б + I_mM.

Так как ряд величин, входящих в это выражение, неизвестен до подробного расчета, то при выборе транзистора ориентировочно принимают

I_mK ³ (3 ¸ 5) I_mH × n_H; 0,1 £ n_Н £ 5,

где I_mН = U_mH / R_H, R_H – сопротивление нагрузки.

Нужно иметь в виду, что при малых значениях n_H увеличивается необходимый импульс ЭДС в коллекторной обмотке, а следовательно, напряжение питания Е_К, а при больших n_Н увеличивается необходимый импульс тока I_mK в той же обмотке.