4.5.2. Элементы схемы блокинг-генератора

Транзистор. Частота fa выбираемого транзистора должна удовлетворять условию

fa ³ (3 ¸ 8) / tИ,

где tИ – длительность генерируемого импульса.

При этом фронты импульса, длительность которых составляет обычно несколько ta (ta = ), имеют высокую крутизну.

Напряжения и токи в схеме должны укладываться в предельно допустимый режим транзистора.

Максимально допустимое напряжение UКЭ ДОП между коллектором и эмиттером транзистора должно превышать UКЭmax

UКЭ ДОП > UКЭmax = KEК,                                              (4.9)

где К = 1,2 ¸ 1,6 (обычно принимаемое значение) учитывает выброс, за счет которого напряжение на транзисторе uК (по абсолютному значению) больше ЕК (см. рис. 4.14). При наличии шунтирующей цепочки ДRШ (см. рис. 4.13) можно принять К = 1.

Величина ЕК должна несколько превышать ЭДС еКmax в коллекторной обмотке. Значение еКmax связано с требуемой амплитудой импульса UmH на нагрузочной обмотке:

еКmax = UmH / nH,

где nH = WH / WK – коэффициент трансформации.

С учетом сказанного в выражение (4.9) должно быть подставлено значение

Максимально допустимое напряжение UбК ДОП между базой и коллектором транзистора – даже при наличии шунтирующей цепочки ДRШ, когда выброс ограничен, должно превышать разность потенциалов uбuК (4.6) в конце формирования среза импульса, когда

uб » UCmax » ебmax » nб ЕК; uК » - ЕК;  uбК » ЕК(nб + 1).

Таким образом, должно выполняться условие

UбК ДОП ³ ЕК(nб + 1).

Максимально допустимое напряжение UбЭ ДОП между базой и эмиттером транзистора должно превышать (см. рис. 4.14) uбmax » UCmax » ЕКnб , т.е. должно выполняться неравенство UбЭ ДОП ³ ЕК nб.

Максимально допустимый ток транзистора IК ДОП должен быть больше тока, значение которого определяется равенством (4.5)

ImK = ImH × nH + Iб×nб + ImM.

Так как ряд величин, входящих в это выражение, неизвестен до подробного расчета, то при выборе транзистора ориентировочно принимают

ImK ³ (3 ¸ 5) ImH × nH; 0,1 £ nН £ 5,

где ImН = UmH / RH, RH – сопротивление нагрузки.

Нужно иметь в виду, что при малых значениях nH увеличивается необходимый импульс ЭДС в коллекторной обмотке, а следовательно, напряжение питания ЕК, а при больших nН увеличивается необходимый импульс тока ImK в той же обмотке.