4.5.      Зависимость характеристик транзистора от температуры

Выходные характеристики для схемы с ОБ слабо зависят от температуры. Малый температурный дрейф выходных характеристик транзистора в схеме с ОБ (рис. 4.11, а) объясняется слабой зависимостью коэффициента передачи тока эмиттера () от температуры и относительно малой величиной обратного тока коллектора ().

Коэффициент передачи тока эмиттера (k) от температуры зависит от­носительно слабо: средний температурный коэффициент  обычно составляет 0,03 – 0,05 % на 1° С, а общее изменение коэффициента переда­чи тока эмиттера в рабочем диапазоне температур не превышает 3 – 5 % (что обусловлено небольшим увеличением диффузионной длины  при повышении температуры). Таким образом, температурный дрейф характеристик транзистора за счет изменения коэффициента передачи тока эмиттера  невелик.

Температурные изменения входных характеристик схемы с ОБ определяются эффектом уменьшения контактной разности потенциалов при повышении температуры.

Тем­пературный  дрейф выходных характеристик транзистора для схемы с ОЭ очень велик (рис. 4.11, б), он в  раз больше, чем в схеме с ОБ. Это существенный недостаток  схемы с ОЭ.

С увеличением температуры увеличивается время жизни носителей, поэтому  несколько возрастает. Незначительное увели­чение  приводит к существенному увеличению  (в некоторых типах транзисторов в интервале рабочих температур  изменяется в 3 – 4 раза). Если при изменении температуры транзистора изменение коэффициента передачи тока эмиттера  составит 3 %, а коэффициент передачи тока базы  = 99, то относительный дрейф выходных характеристик транзистора составит уже 300 %.

Температурное смещение характеристик может пол­ностью нарушить нормальную работу схемы. Поэтому в транзисторных схемах необходимо принимать специальные меры по стабилизации режима работы каскада.