Выходные характеристики для схемы с ОБ слабо зависят от температуры. Малый температурный дрейф выходных характеристик транзистора в схеме с ОБ (рис. 4.11, а) объясняется слабой зависимостью коэффициента передачи тока эмиттера () от температуры и относительно малой величиной обратного тока коллектора ().
Коэффициент передачи тока эмиттера (k) от температуры зависит относительно слабо: средний температурный коэффициент обычно составляет 0,03 – 0,05 % на 1° С, а общее изменение коэффициента передачи тока эмиттера в рабочем диапазоне температур не превышает 3 – 5 % (что обусловлено небольшим увеличением диффузионной длины при повышении температуры). Таким образом, температурный дрейф характеристик транзистора за счет изменения коэффициента передачи тока эмиттера невелик.
Температурные изменения входных характеристик схемы с ОБ определяются эффектом уменьшения контактной разности потенциалов при повышении температуры.
Температурный дрейф выходных характеристик транзистора для схемы с ОЭ очень велик (рис. 4.11, б), он в раз больше, чем в схеме с ОБ. Это существенный недостаток схемы с ОЭ.
С увеличением температуры увеличивается время жизни носителей, поэтому несколько возрастает. Незначительное увеличение приводит к существенному увеличению (в некоторых типах транзисторов в интервале рабочих температур изменяется в 3 – 4 раза). Если при изменении температуры транзистора изменение коэффициента передачи тока эмиттера составит 3 %, а коэффициент передачи тока базы = 99, то относительный дрейф выходных характеристик транзистора составит уже 300 %.
Температурное смещение характеристик может полностью нарушить нормальную работу схемы. Поэтому в транзисторных схемах необходимо принимать специальные меры по стабилизации режима работы каскада.