Изменение спектральных характеристик фотоприемников (ФП) от температуры, в основном, обусловлено температурной зависимостью коэффициента собирания. Последняя, в свою очередь, определяется температурными изменениями коэффициента поглощения света, ширины запрещенной зоны полупроводника, диффузионной длины неосновных носителей, а для некоторых типов ФП – изменениями ширины области объемного заряда и режимом работы прибора.
С увеличением температуры ширина запрещенной зоны полупроводника уменьшается, и условия образования электронно-дырочных пар фотонами с меньшей энергией облегчаются, т.е. край собственного поглощения полупроводника смещается в длинноволновую область спектра.
С понижением температуры ширина запрещенной зоны увеличивается, для ее преодоления и создания пар «электрон – дырка» требуются фотоны с большей энергией, а следовательно, край собственного поглощения полупроводника смещается в коротковолновую область. В связи с этим спектральная характеристика ФП с понижением температуры смещается в сторону коротких длин волн, с повышением температуры – в длинноволновую область.
Например, для Si изменение ширины запрещенной зоны с температурой считается линейным с наклоном – 4·10-4 эВ/ оС, для Gе зависимость ширины запрещенной зоны от температуры квадратичная. Для кремниевых ФП наблюдается сдвиг максимума спектральных кривых с изменением температуры, но в коротковолновой области изменение чувствительности с температурой незначительно (рис. 4.8).