Усилительные каскады на полевых транзисторах управляются напряжением, приложенным или к запертому р-n-переходу (в транзисторах с управляющим р-n-переходом), или между электрически изолированным затвором и подложкой, которая часто соединяется с одним из электродов транзистора (в МДП-транзисторах). Ток затвора в усилительных каскадах, собранных на полевых транзисторах, мал и для кремниевых структур с управляющим р-n -переходом не превышает 10-8 А. Для МДП-транзисторов этот ток на несколько порядков меньше. Для транзисторов с р-n-переходом входное сопротивление на низких частотах составляет десятки МОм, а для МДП-транзисторов достигает 1012 – 1015 Ом. С повышением частоты входное сопротивление существенно уменьшается из-за наличия емкостей затвор – исток и затвор – сток.
При анализе усилительных каскадов на полевых транзисторах с управляющим р-n-переходом оперируют с крутизной характеристики Sнач и током Iнач, которые соответствуют нулевому напряжению на затворе относительно истока. Кроме того, обычно необходимо знать напряжение отсечки UЗИ отс. Дальнейшее рассмотрение будем проводить только для транзисторов этого типа.
Анализ усилительных каскадов на полевых транзисторах можно проводить аналитическим или графоаналитическим методом.
При анализе используют следующие приближенные основные соотношения, описывающие характеристики полевых транзисторов:
Заметим, что в усилительном режиме напряжение UЗИ имеет знак, противоположный знаку UСИ.
