5.2.2.      МДП-транзисторы с индуцированным каналом

Канал проводимости тока МДП-транзистора с индуцированным каналом п-типа  (рис. 5.8, а)  спе­циально не создается, а образуется (индуцируется) благодаря при­току электронов из полупроводниковой пластины в случае прило­жения к затвору напряжения положительной полярности отно­сительно истока.

За счет притока электронов в приповерхностном слое происходит изменение электропроводности полупроводника, т.е. индуцируется токопроводящий канал n-типа, соединяющий области стока и истока. Проводимость канала возрастает с повыше­нием приложенного к затвору напряжения положительной поляр­ности. Таким образом, транзистор с индуцированным каналом ра­ботает только в режиме обогащения.

Выходные (стоковые) характеристики по­левого транзистора с индуцированным ка­налом n- типа (рис. 5.8, б) близки по виду аналогичным характеристикам транзистора со встроенным каналом и имеют тот же характер зависимости: .

Отличие заклю­чается в том, что управление током транзистора осуществляется нап­ряжением одной полярности, совпадающей с полярностью напряже­ния . Ток равен нулю при = 0, в то время как в транзис­торе со встроенным каналом для этого необходимо изменить поляр­ность напряжения на затворе относительно истока. Вид сто­ко-затворной характеристики транзистора с индуцированным каналом показан на рис. 5.8, в.

МДП-транзисторы обоих типов выпускаются на тот же диапазон токов и напряжений, что и транзисторы с p-n-переходом, примерно такие же значения имеют крутизна S и внутреннее сопро­тивление . Что касается входного сопротивления и межэлектродных емкостей, то МДП-транзисторы имеют лучшие показатели, чем тран­зисторы с p-n-переходом. Как указывалось, входное сопротивление у них составляет 1012 – 1014 Ом. Значение межэлектродных емкостей не превышает:

для              10 пФ,

для                          2 пФ.

Схема замеще­ния МДП-транзисторов аналогична схеме замещения полевых тран­зисторов с p-n-переходом (см. рис. 5.4).

Ввиду отсутствия диффузионной емкости усилители на полевых транзисторах принципиально более высокочастотные, чем на биполярных. Импульсные свойства по

левых транзисторов существенно лучше биполярных. Например, ключ на мощном полевом транзисторе позволяет получить импульс тока амплитудой несколько ампер при времени включения и выключения порядка наносекунд.

Поскольку изолирующий затвор слой оксида кремния является идеальным диэлектриком и имеет толщину примерно 0,1 мкм, МДП-транзисторы боятся статического электричества из-за опасности теплового пробоя этого слоя. Необходимо предпринимать специальные меры при хранении и монтаже таких транзисторов и микросхем на их основе: закорачивать ножки при хранении, заземлять паяльник и использовать заземляющий браслет при их установке.

МДП-транзисторы широко применяются в интегральном испол­нении. Микросхемы на МДП-транзисторах обладают хорошей техно­логичностью, низкой стоимостью, способностью работы при более высоком напряжении питания, чем микросхемы на биполярных тран­зисторах.