5.3.2 Интерфейс с  ОЗУ

Устройства размещения данных, допускающие их запись и считывание, обычно называются ОЗУ. Оперативные запоминающие устройства делятся разработчиками на два типа: статические и динамические. Статические ОЗУ более просты для выполнения интерфейса, чем динамические.

Рассмотрим рис. 5.5, где представлены ОЗУ и МП некоторой системы. Отметим, что ОЗУ составлено устройствами 4 Кб*8 бит, то есть может разместить 4096 слов емкостью 8 бит каждое.

Когда-то ОЗУ такого типа составлялись из нескольких ИС (например, 32 ИС ОЗУ 1024*1 бит). Модуль памяти (или карта памяти) содержит также около десятка дополнительных ИС (порты и буферы), и ОЗУ, представленное как один блок, в действительности является сложной системой.

На рис. 5.4 приведена воображаемая память системы. Оперативное запоминающее устройство емкостью 4 Кб произвольно помещено в третьем сегменте сверху. Как и в случае ПЗУ, дешифратор на рис. 5.5 будет иметь цель активизировать линии выбора устройства. Он выдает L-импульс в устройство выбора модуля MS для активизации ОЗУ

только в случае, когда четыре адресные линии (А1215)=00102. Как и в случае ПЗУ, декодирование младших 12 бит (А0011) осуществляется системой декодирования ОЗУ.              

Шина данных становится двунаправленной 8-разрядной для считываемых и записываемых в ОЗУ данных. Двенадцать линий младших разрядов МП идут прямо на адресные входы модуля ОЗУ через адресную шину. Четыре линии старших разрядов соединены с дешифратором адреса. Выход WR записи в МП соединен по линии управления со входом R/W ОЗУ. Заметим, что вход ОЗУ является входом записи/чтения. Это означает, что когда МП не активизирует выход записи L-сигналом, WR выдает H-сигнал в ОЗУ, который точно определяет операцию считывания. Выход RD считывания МП соединен по линии управления считыванием с выходом OE.

Временная диаграмма, иллюстрирующая изменения сигналов МП и ОЗУ в ходе операции считывания, приведена на рис. 5.6.

Адресные линии МП активизированы и содержат требуемый адрес. Выход считывания RD переходит к L-уровню. Тристабильная шина данных переходит в состояние считывания, и МП готов принять с нее данные. Линия выбора модуля MS ОЗУ и вход активизации выхода OE – оба переходят к L-уровню или активизируются дешифратором адреса и линией управления считыванием микропроцессора. Сигнал входа R/W сохраняется на H-уровне или в состоянии считывания.

За короткое время, после того как активизация выхода OE приняла L-уровень, активизируются выходы данных. Данные из памяти помещаются на шину данных по выходам ОЗУ. Как и в ПЗУ, время доступа в память при считывании является важным показателем ОЗУ, это время может изменяться в различных статических ОЗУ от 250 до 1000 наносекунд.