Квантовая и оптическая электроника

1.1.   Основные понятия и определения

1.2.   Особенности оптической электроники

1.3.1.  Волновые свойства света

1.3.2.  Корпускулярные свойства света. Фотоны

1.4    нергетические и световые параметры излучения

2.1.   Классификация оптоэлектронных полупроводниковых приборов

2.2.1.  Виды генерации оптического излучения

2.2.2.  Прямозонные и непрямозонные полупроводники

2.3.   Полупроводниковые приборы отображения информации и инфракрасные излучающие диоды

2.3.1.  Принцип действия

2.3.2.  Конструкция и технология изготовления

2.4.1.  Принцип действия

2.4.2.  Основные характеристики и параметры

2.5.1.  Принцип действия

2.5.2.  Основные характеристики и параметры

2.6.1.  Жидкокристаллические индикаторы

2.6.2.  Жидкокристаллические панели

3.1.   Классификация фотоэлектрических приборов

3.2.   Внешний фотоэффект

3.3.1.  Электронные фотоэлементы

3.3.2.  Ионные фотоэлементы

3.3.3.  Фотоэлектронные умножители

4.1.   Фотопроводимость

4.2.   Спектр поглощения полупроводников. Квантовый выход

4.3.   Рекомбинация фотоносителей заряда

4.4.   Фотолюминесценция

4.5.   Фото-ЭДС в полупроводниках

4.6.   Влияние температуры на спектральные характеристики фотоприемников

5.1.1.  Принцип действия

5.1.2.  Конструкция

5.1.3.  Основные характеристики и параметры

5.2.1.  Принцип действия

5.2.2.  Основные характеристики и параметры

5.2.3.  Разновидности фотодиодов

5.3.2.  Технология изготовления и конструкция

5.3.3.  Основные характеристики и параметры

5.4.1.  Биполярные фототранзисторы

5.4.2.  Фототиристоры

5.5.1.  Датчики изображения на основе приборов с зарядовой связью

5.5.2.  Основные характеристики датчиков изображения

5.5.3.  Датчики изображения на основе CMOS «Active-Pixel Sensor» архитектуры

5.5.4.  Области применения

6.      Оптроны

6.1.1.  Элементы оптопары

6.1.2.  Входные и выходные параметры оптопар

6.1.3.  Передаточные параметры и параметры изоляции оптопар

6.1.4.  Режимы эксплуатации диодных оптопар

6.1.5.  Режимы эксплуатации транзисторных оптопар

6.1.6.  Система обозначений оптопар

6.2.   Применение оптопар

6.3.   Использование оптопар для дистанционного управления

6.3.1.  Модуляция

6.3.2.  Передатчик

6.3.3.  Приемник

6.4.   Специализированные оптопары и оптоэлектронные интегральные микросхемы

7.1.   Квантовые переходы в веществе и процессы испускания и поглощения света

7.1.1.  Энергетические уровни атомов и молекул

7.1.2.  Поглощение света

7.1.3.  Вынужденное испускание света

7.1.4.  Спонтанное испускание света

7.2.1.  Активная среда и активные центры

7.2.2.  Инвертированная активная среда, усиление светового пучка в такой среде

7.2.3.  Методы создания инверсии

7.2.4.  Принципиальные схемы уровней активных центров

7.3.1.  От спонтанного испускания к лазерной генерации в инверти­рованной активной среде

7.3.2.  Оптический резонатор

7.3.3.  Добротность оптического резонатора

7.3.4.  Потери внутри резонатора

7.3.5.  Излучательные потери

7.3.6.  Дифракционные потери

7.4.1.  Линейные и кольцевые резонаторы

7.4.2.  Устойчивые и неустойчивые резонаторы. диаграмма устойчи­вости

7.4.3.  Конфокальный резонатор

7.4.4.  Неустойчивый резонатор телескопического типа

7.5.     Основные сведения о лазере, Коэффициент усиления

7.5.2.  Мощность генерации; условие возникновения генерации

7.5.3.  Оптимальное значение коэффициента излучательных потерь

7.5.4.  Линия усиления

7.5.5.  Резонансные частоты

7.5.6.  Моды (типы колебаний) оптического резонатора

8.1.   Мазеры. Квантовые парамагнитные усилители

8.2.   Типы лазеров и способы накачки

8.3.   Газовые лазеры

8.4.1.  Оптическая накачка

8.4.2.  Устройство твердотельного лазера

8.5.   Полупроводниковый инжекционный лазер на гомопереходе

8.6.   Полупроводниковый инжекционный лазер на гетеропереходах

8.7.   Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой

8.8.   Сравнительная характеристика лазеров

9.      Управление лазерным излучением

9.1.1.  Подавление нежелательных рабочих переходов

9.1.2.  Плавная перестройка длины волны

9.1.3.  Селекция центральной продольной моды за счет уменьшения длины резонатора

9.1.4.  Селекция центральной продольной моды за счет использования резонатора с дополнительным зеркалом

9.2.1.  Оптико-механическая модуляция добротности

9.2.2.  Электрооптическая модуляция добротности

9.2.3.  Акустооптическая модуляция добротности

9.2.4.  Пассивная модуляция добротности в лазере с просветляющим­ся фильтром

9.3.1.  Селекция основной поперечной моды

9.3.2.  Использование неустойчивых резонаторов

9.3.3.  Аподизирующие диафрагмы

9.4.1.  Нелинейная поляризация среды

9.4.2.  Взаимодействия световых волн в нелинейных средах

9.4.3.  Генерация второй оптической гармоники в нелинейном крис­талле

9.4.4.  Генерация четвертой оптической гармоники

9.4.5.  Генераторы оптических гармоник

9.5.1.  Общие замечания

9.5.2.  Электрооптические дефлекторы непрерывного отклонения

9.5.3.  Акустооптические дефлекторы непрерывного отклонения

9.5.4.  Электрооптический дефлектор дискретного действия

10.1.1. Лазерное излучение и его параметры

10.1.2. Взаимодействие лазерного излучения с веществом

10.2.1. Лазерная техника

10.2.2. Лазерная технология

11. 1.         Принцип действия оптических передающих систем

11. 2.         Передаточные свойства световода

11. 3.         Источники и детекторы светового излучения для ВОЛС