Ключевой каскад (рис. 2.2, а) может находиться в одном из двух стационарных состояний: во включенном (транзистор насыщен) и в выключенном (транзистор заперт).
Режим насыщения возникает при положительном управляющем напряжении, если создаваемый им базовый ток Iб <
Iб×b ³ IКН,
где b – коэффициент усиления базового тока; IКН – ток насыщения коллектора.
При насыщении транзистора IК = IКН » EK /RK, uКН = EK – IКН×RK » 0.
Режим отсечки (транзистор заперт) возникает при отрицательном управляющем напряжении, если оно обеспечивает запирание эмиттерного перехода (uбЭ £ 0). Так как в рассматриваемом режиме в цепи базы проходит вытекающий из нее обратный ток коллекторного перехода (IКО), то указанное условие запишем в виде
—UУПР + IКО max × Rб £ 0,
где UУПР – абсолютное значение отрицательного управляющего напряжения; IКО max – значение обратного тока при максимальной рабочей температуре.
В режиме отсечки IК = IКО » 0, uК = EK – IКО× RK » EK.