2.2.1. Стационарные состояния ключа

Ключевой каскад (рис. 2.2, а) может находиться в одном из двух стационарных состояний: во включенном (транзистор насыщен) и в выключенном (транзистор заперт).

Режим насыщения возникает при положительном управляющем напряжении, если создаваемый им базовый ток Iб <

Iб×b ³ IКН,

где b – коэффициент усиления базового тока; IКН – ток насыщения коллектора.

При насыщении транзистора IК = IКН » EK /RK, uКН = EKIКН×RK » 0.

Режим отсечки (транзистор заперт) возникает при отрицательном управляющем напряжении, если оно обеспечивает запирание эмиттерного перехода (uбЭ £ 0). Так как в рассматриваемом режиме в цепи базы проходит вытекающий из нее обратный ток коллекторного перехода (IКО), то указанное условие запишем в виде

-UУПР + IКО max × Rб £ 0,

где UУПР абсолютное значение отрицательного управляющего напряжения; IКО max – значение обратного тока при максимальной рабочей температуре.

В режиме отсечки IК = IКО » 0, uК = EKIКО× RK » EK.