1. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
1.1. Строение и энергетические свойства кристаллов твердых тел
1.2. Электропроводность собственных полупроводников
1.3. Электропроводность примесных полупроводников
1.4. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
2. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД
2.1. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
2.2. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении
2.3. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
2.4. Вольт-амперная характеристика электронно- дырочного перехода. Пробой и емкость p-n-перехода
3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
3.1. Общие характеристики диодов
3.2. Виды диодов
4. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
4.1. Биполярные транзисторы
4.1.1. Общая характеристика
4.1.2. Принцип действия транзистора
4.1.3. Схемы включения транзисторов
4.1.4. H-параметры транзистора
4.1.5. Влияние температуры на статические характеристики БТ
4.16. Составной транзистор
4.2. Полевые транзисторы
4.2.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
4.2.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
5. ТИРИСТОРЫ
5.1. Классификация тиристоров
5.2. Диодные тиристоры (динисторы)
5.3. Триодные тиристоры
5.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
5.5. Зависимость работы тиристора от температуры
6. УСИЛИТЕЛИ
6.1. Классификация, основные характеристики и параметры усилителей
6.2. Искажения в усилителях
6.3. Обратные связи в усилителях
6.3.1. Виды обратных связей
6.3.2. Влияние последовательной отрицательной ОС по напряжению на входное и выходное сопротивления усилителя
6.3.3. Влияние отрицательной ОС на нелинейные искажения и помехи
6.3.4. Влияние отрицательной ОС на частотные искажения
6.3.5. Паразитные ОС и способы их устранения
6.4. Усилители низкой частоты
6.5. Каскады предварительного усиления
6.5.1. Каскад с ОЭ
6.5.2. Стабилизация режима покоя каскада с ОЭ