5.1.2.  Конструкция

Конструктивно фоторезистор представляет собой монокристаллическую или поликристаллическую пластину полупроводника, на поверхности которой нанесены электро­проводные электроды. Принципиально возможны две конструкции фоторезисторов: поперечная (рис. 5.1, а) и продольная (рис. 5.1, б).

В первом случае электрическое поле, прикладываемое к фо­торезистору, и возбуждающий свет действуют во взаимно перпендикулярных плоскостях, во втором – в одной плоскости. Очевидно, что в продольном фоторезисторе возбуждение осуществляется через электрод, прозрачный для этого излуче­ния. Поперечный фоторезистор представляет собой почти омическое сопротивление до частот порядка десятков и сотен мегагерц. Продольный фоторезистор из-за конструктивных особен­ностей имеет значительную электрическую емкость, которая не позволяет считать фоторезистор чисто омическим сопротив­лением на частотах уже в сотни – тысячи герц.

Рис. 5.1. Конструкция фоторезисторов:

а – поперечная, б – продольная, в – условное обозначение

В качестве исходного материала фоторезистора чаще всего используются сернистый таллий, селенистый теллур, сернистый висмут, сернистый свинец, теллуристый свинец, сернистый кадмий и т.д.