Этот метод модуляции добротности основан на использовании электрооптического эффекта – изменения показателя преломления среды под действием внешнего электрического поля. Различают два электрооптических эффекта – квадратичный (эффект Керра) и линейный (эффект Поккельса). В первом случае изменение показателя преломления пропорционально второй степени напряженности внешнего электрического поля, а во втором случае – первой степени. Эффект Поккельса существует лишь в кристаллических средах.
Рассмотрим электрооптическую модуляцию добротности резонатора на основе эффекта Поккельса. Предварительно заметим, что, попадая в кристалл, световая волна превращается в две волны, имеющие разные скорости (иначе говоря, разные показатели преломления). Эти волны поляризованы во взаимно-перпендикулярных плоскостях. Эта особенность распространения света в кристаллической среде приводит, в частности, к известному явлению двулучепреломления.
В схеме лазера (рис. 9.4, б) на оси резонатора между активным элементом АЭ и выходным зеркалом ВЗ находятся два одинаковым образом ориентированных поляризатора П1 и П2, выделяющих плоскость поляризации S, а между ними помещена так называемая ячейка Поккельса – кристалл между пластинами конденсатора. В пластинах имеется отверстие для пропускания излучения.
Прежде, чем попасть в ячейку Поккельса, излучение проходит через поляризатор и оказывается поляризованным в плоскости S. Представим это излучение в виде суммы двух волн, одна из которых поляризована вдоль оси х, а другая вдоль оси у (см. рис. 9.4, в); первая волна характеризуется внутри кристалла показателем преломления , а вторая – показателем преломления . Взаимная ориентация поляризатора и кристалла выбрана так, чтобы ось х составляла с плоскостью S угол 45°. В результате прохождения через кристалл указанные выше волны окажутся сдвинутыми по фазе на:
, (9.2)
где l – длина кристалла по оси резонатора; – длина волны излучения в вакууме. Показатели преломления и линейно зависят от напряженности (Е) электрического поля в ячейке Поккельса (напомним, что в этом и состоит суть эффекта Поккельса).
Показатели преломления и определяются следующим образом:
; .
Здесь – показатель преломления в отсутствие поля, r – одна из электрооптических постоянных данного кристалла. Итак,
. (9.3)
Заметим, что в отсутствие поля и поэтому .
Подставляя выражение (9.3) в выражение (9.2) и учитывая, что El = U, где через U обозначено напряжение, приложенное к кристаллу, находим:
.
Подберем значение напряжения так, чтобы . Такое напряжение называют полуволновым, поскольку при этом волны, прошедшие кристалл, оказываются сдвинутыми друг относительно друга на половину длины волны. Из рис. 9.4, в (показан участок между поляризаторами П1 и П2) нетрудно увидеть, что при таком сдвиге результирующая световая волна, вышедшая из кристалла и падающая на поляризатор , будет поляризована в плоскости trono.ru/wp-content/image_post/kvant_opt/pic177_14.gif>, перпендикулярной к плоскости S. Произошел, как говорят, поворот плоскости поляризации света. В данном случае этот поворот произошел на угол 90°. Ясно, что поляризатор не пропустит световой волны.
Таким образом, когда на ячейку Поккельса не подается напряжение (ячейка выключена), свет почти беспрепятственно проходит сквозь систему из поляризаторов и ячейки Поккельса. Происходит лишь некоторое поглощение света в этих элементах схемы. Когда же на ячейку Поккельса подается напряжение (ячейке включена), свет не проходит сквозь указанную систему. Иными словами, при выключенной ячейке добротность резонатора максимальна, а при включенной – минимальна. Время переключения добротности зависит от скорости изменения напряжения, подаваемого на ячейку Поккельса. Это время составляет примерно 10-9 с, т.е. существенно меньше, чем при оптико-механической модуляции.
Ячейка Поккельса в сочетании с поляризаторами действует подобно затвору, пропускание которого можно быстро изменять (от максимального к минимальному и наоборот). Используется термин «электрооптический затвор».
Недостатком электрооптической модуляции добротности является то, что для создания требуемой напряженности поля необходимо достаточно высокое напряжение управления (до единиц киловольт). Однако существенное уменьшение размеров элементов в оптоэлектронных интегральных схемах позволило снизить рабочие напряжения до единиц – десятков вольт.