Тензотранзистор представляет собой транзистор, чувствительный к изменению деформации. По сравнению с обычными транзисторами тензотранзисторы имеют низкий коэффициент передачи тока (~5).
Колпачок корпуса тензотранзистора выполняют в виде чувствительной к давлению диафрагмы, которая передает давление на эмиттерный переход, вызывая деформацию кристалла (рис. 10.4).
Прибор можно применять в усилителях переменного тока в схеме с общим эмиттером, при этом коэффициент усиления его будет модулироваться механической нагрузкой.
В транзисторе (рис. 10.5) предусмотрены три выступа диаметром 10 мкм и высотой 10 мкм, расположенных на вершинах правильного треугольника, вписанного в окружность диаметром 0,6 мм. На выступах помещен диск из жесткого материала. Транзистор чувствителен к механическим колебаниям от 0 до 100 кГц, поэтому он может быть применен в качестве быстродействующего переключателя, микрофона, звукоснимателя и т.д.
При воздействии давления на эмиттер тензотранзисторов происходит уменьшение коэффициента усиления по току и тока эмиттера. Транзистор с переходом Шотки отличается от обычных тензотранзисторов тем, что давление в нем прикладывается не к области эмиттера, а к области базы, в результате чего он не влияет на коэффициент усиления по току.
Действие прибора основано на эффекте увеличения обратного тока диода с переходом Шотки при увеличении давления. Переход Шотки получают путем нанесения молибдена на кремний n-типа. Изменение выходного тока линейно зависит от давления, приложенного к молибденовому электроду.
В основе конструкции тензотранзистора с переходом Шотки лежит кремниевый планарный транзистор типа п-р-п с кольцевым эмиттером (рис. 10.6). Контакты к эмиттеру и коллектору выполняют обычным способом: к эмиттеру – пу
тем напыления алюминия через окно в пассивирующем слое двуокиси кремния, к коллектору – с тыльной стороны пластины. Кроме того, создается контакт к центральной части базы путем нанесения молибдена через окно в двуокиси кремния. К молибденовому контакту прижимается сапфировая игла, которая служит для передачи давления на прибор.
Между выводами эмиттера и базы подается напряжение такой полярности, чтобы эмиттерный переход был смещен в прямом направлении. При этом переход Шотки между молибденовым контактом и реальной базой транзистора оказывается смещенным в обратном направлении.
При подаче давления на иглу обратный ток диода Шотки, а следовательно, и базовый ток транзистора возрастают, ток коллектора при этом пропорционально увеличивается. ВАХ транзистора приведены на рис. 10.7.
Транзистор применяют в устройствах бесконтактного управления и регулирования.