Обращенным называют диод на основе полупроводника с критической концентрацией примесей, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении.
Если подобрать концентрации примесей так, чтобы на зонной диаграмме границы зоны проводимости n-области и валентной зоны р-области не перекрывались, а совпадали при отсутствии внешнего смещения на переходе, то туннельный эффект при положительных смещениях будет отсутствовать, и прямой ток будет зависеть только от инжекции неосновных носителей. Вид ВАХ при прямом направлении для р-п-перехода напоминает характеристику обычного выпрямительного диода (рис. 3.12). При обратном направлении для р-п-перехода проявляется туннельный эффект, и обратная ветвь подобна ВАХ туннельного диода при обратных напряжениях. Проводимость обращенного диода при обратном напряжении больше, чем при прямом напряжении.
Прибор может быть использован в качестве выпрямляющего элемента, при этом ВАХ как бы повернута на 180° по сравнению с ВАХ выпрямительного диода, отсюда название диодов – обращенные. Обращенные диоды могут использоваться для выпрямления малых сигналов (десятые доли вольта). В отличие от точечных детекторов, обращенные диоды имеют низкие уровни шумов и обладают значительной нелинейностью характеристики. Быстродействие обращенных диодов так же, как быстродействие туннельных диодов, определяется практической безынерционностью туннельного эффекта и отсутствием процессов накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе.
Конструкции обращенных диодов не отличаются от конструкции туннельных диодов, для герметизации применяются корпусы патронного или таблеточного типа. Основные параметры обращенных диодов приведены в табл. 3.6.
