В схеме включения транзистора с ОЭ (рис. 4.9) транзистор представлен в виде структуры с обозначенными внутренними токами.
В схеме с ОЭ вывод эмиттера является общим для входной и для выходной цепей транзистора. Напряжения питания 
, 
подаются соответственно между базой и эмиттером, а также между коллектором и эмиттером транзистора. Без учета падения напряжения в базовом слое напряжение определяет напряжение на эмиттерном переходе. Напряжение на коллекторном переходе находят как разность: – .
Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ (рис. 4.10, а) определяют зависимость коллекторного тока при 
= const:
.
Как и для схемы ОБ, здесь можно выделить три характерные области: I – начальную область; II – относительно слабую зависимость 
от ; III – пробой коллекторного перехода.
Коллекторные характеристики транзистора в схеме с ОЭ отличаются от соответствующих характеристик в схеме с ОБ. В частности, они начинаются из начала координат и участок I (рис. 4.10, а) располагается в первом квадранте. При = 0 напряжение на коллекторном переходе равно , коллекторный переход открыт и инжектирует дырки в базу. Потоки дырок через коллекторный переход (от коллектора в базу и от эмиттера в коллектор) взаимно уравновешиваются и ток 
. По мере повышения напряжения в области I прямое напряжение на коллекторном переходе снижается, его инжекция уменьшается и ток возрастает.
На границе с областью II прямое напряжение снимается с коллекторного перехода и в области II на переходе действует обратное напряжение. Точке перехода от области I к области II соответствует напряжение порядка 0,5 – 1,5 В.
Отличие характеристик для схемы с ОЭ в области II покажем, выразив в выражении (4.4) ток 
через и ток в соответствии с формулой (4.2). После замены 
на 
получаем коллекторные характеристики транзистора в схеме с ОЭ, записанные в аналитической форме:
, (4.5)
где 
– коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ.
Коэффициент 
показывает связь тока коллектора с входным током 
. Если для транзисторов коэффициент 
= 0,9 – 0,99, то коэффициент = 9 – 99. Иными словами, транзистор в схеме с ОЭ дает усиление по току. Это является важнейшим преимуществом включения транзистора по схеме с ОЭ, чем, в частности, определяется более широкое практическое применение этой схемы включения по сравнению со схемой с ОБ.
Выражение (4.5) можно переписать в виде:
, (4.6)
где
=http://electrono.ru/wp-content/image_post/tverdolob_electr/pic80_9.gif>;
.
Так же, как и в схеме с ОБ, коллекторные характеристики имеют некоторый наклон к оси абсцисс (см. рис. 4.10, а), вызванный эффектом модуляции базы. Однако этот наклон в схеме с ОЭ больше, чем в схеме с ОБ, так как малые изменения коэффициента под действием изменения напряжения на коллекторном переходе дают значительные изменения коэффициента:
.
Указанное явление учитывается вторым слагаемым в правой части уравнения (4.6). Дифференциальное сопротивление 
коллекторного перехода в схеме с ОЭ в
раз меньше дифференциального сопротивления 
в схеме с ОБ и составляет 30 – 40 кОм.
Из принципа действия транзистора известно, что через вывод базы протекают во встречном направлении две составляющие тока (см. рис. 4.9): обратный ток коллекторного перехода (
) и часть тока эмиттера 
. Поэтому нулевое значение тока базы (
= 0) определяется равенством указанных составляющих токов, т.е.
.
Нулевому входному току соответствуют ток эмиттера:
и ток коллектора:
.
Иными словами, при нулевом токе базы через транзистор в схеме с ОЭ протекает ток, называемый начальным или сквозным током 
и равный 
. Этим обусловливается наличие третьей составляющей тока 
в выражениях (4.5) и (4.6). Таким образом, ток коллектора при входном токе, равном нулю, в схеме ОЭ в раз больше, чем в схеме с ОБ.
Если же эмиттерный переход перевести в непроводящее состояние, т.е. подать напряжение 
, то ток коллектора снизится до (см. рис. 4.10, а) и будет определяться обратным (тепловым) током коллекторного перехода, протекающим по цепи база – коллектор. Область характеристик, лежащая ниже характеристики, соответствующей 
= 0, называют областью отсечки.
В схеме с ОЭ более резко выражена неэквидистантность характеристик, так как зависимость коэффициента 
от тока эмиттера (коллектора) сильно сказывается на зависимости коэффициента 
от тока 
().
Входные (базовые) характеристики транзистора (рис. 4.10, б) отражают зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при фиксированном напряжении коллектор-эмиттер:
.
При 
= 0 входная характеристика соответствует прямой ветви ВАХ двух p-n-переходов (эмиттерного и коллекторного), включенных параллельно. Ток базы при этом равен сумме токов эмиттера и коллектора, работающего в режиме эмиттера.
При < 0 ток базы составляет малую часть тока эмиттера. При определенной величине 
подача напряжения < 0 вызывает уменьшение тока , т.е. смещение вниз характеристик относительно кривой со значением = 0. Дальнейшее увеличение абсолютной величины
ight=24 src=http://electrono.ru/wp-content/image_post/tverdolob_electr/pic81_18.gif> также смещает характеристики к оси абсцисс вследствие уменьшения тока
из-за эффекта модуляции базы.
В токе присутствует составляющая . Поэтому при < 0 входные характеристики исходят из точки с отрицательным значением тока базы, равным .