Канал проводимости тока МДП-транзистора с индуцированным каналом п-типа (рис. 5.8, а) специально не создается, а образуется (индуцируется) благодаря притоку электронов из полупроводниковой пластины в случае приложения к затвору напряжения положительной полярности относительно истока.
За счет притока электронов в приповерхностном слое происходит изменение электропроводности полупроводника, т.е. индуцируется токопроводящий канал n-типа, соединяющий области стока и истока. Проводимость канала возрастает с повышением приложенного к затвору напряжения положительной полярности. Таким образом, транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения.
Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора с индуцированным каналом n— типа (рис. 5.8, б) близки по виду аналогичным характеристикам транзистора со встроенным каналом и имеют тот же характер зависимости: .
Отличие заключается в том, что управление током транзистора осуществляется напряжением одной полярности, совпадающей с полярностью напряжения
. Ток
равен нулю при
= 0, в то время как в транзисторе со встроенным каналом для этого необходимо изменить полярность напряжения на затворе относительно истока. Вид стоко-затворной характеристики транзистора с индуцированным каналом показан на рис. 5.8, в.
МДП-транзисторы обоих типов выпускаются на тот же диапазон токов и напряжений, что и транзисторы с p—n-переходом, примерно такие же значения имеют крутизна S и внутреннее сопротивление . Что касается входного сопротивления и межэлектродных емкостей, то МДП-транзисторы имеют лучшие показатели, чем транзисторы с p—n-переходом. Как указывалось, входное сопротивление у них составляет 1012 – 1014 Ом. Значение межэлектродных емкостей не превышает:
для ,
10 пФ,
для 2 пФ.
Схема замещения МДП-транзисторов аналогична схеме замещения полевых транзисторов с p—n-переходом (см. рис. 5.4).
Ввиду отсутствия диффузионной емкости усилители на полевых транзисторах принципиально более высокочастотные, чем на биполярных. Импульсные свойства по
левых транзисторов существенно лучше биполярных. Например, ключ на мощном полевом транзисторе позволяет получить импульс тока амплитудой несколько ампер при времени включения и выключения порядка наносекунд.
Поскольку изолирующий затвор слой оксида кремния является идеальным диэлектриком и имеет толщину примерно 0,1 мкм, МДП-транзисторы боятся статического электричества из-за опасности теплового пробоя этого слоя. Необходимо предпринимать специальные меры при хранении и монтаже таких транзисторов и микросхем на их основе: закорачивать ножки при хранении, заземлять паяльник и использовать заземляющий браслет при их установке.
МДП-транзисторы широко применяются в интегральном исполнении. Микросхемы на МДП-транзисторах обладают хорошей технологичностью, низкой стоимостью, способностью работы при более высоком напряжении питания, чем микросхемы на биполярных транзисторах.