Пусть на однородно легированный кристалл арсенида галлия (рис. 7.4), имеющий два невыпрямляющих электрических перехода с электродами катода и анода, подано постоянное напряжение, создающее в кристалле напряженность электрического поля, несколько меньшую пороговой напряженности. При этом все свободные электроны в кристалле являются «легкими», и плотность тока через кристалл имеет максимальное значение:
.
Локальная напряженность электрического поля около невыпрямляющих контактов из-за наличия различных дефектов может превышать пороговую напряженность электрического поля. Это обеспечит образование «тяжелых» электронов около катода, которые, двигаясь относительно медленно к аноду, создают отрицательный заряд.
«Легкие» электроны в остальной части кристалла движутся к аноду быстрее «тяжелых». Поэтому около пакета «тяжелых» электронов со стороны анода получается недостаток электронов, что равносильно образованию некоторого положительного заряда, состоящего из нескомпенсированных ионизированных доноров (рис. 7.5).
Таким образом, образуется домен, состоящий из двух слоев: слой со стороны катода из-за избытка «тяжелых» электронов имеет отрицательный заряд, слой со стороны анода из-за недостатка электронов имеет положительный заряд. Домен обладает своим электрическим полем (), направленным в ту же сторону, что и поле, созданное внешним напряжением. В результате по мере образования домена поле в нем растет, а за пределами домена уменьшается, т.е. скорость движения «тяжелых» электронов внутри домена увеличивается, а скорость движения «легких» электронов за пределами домена уменьшается.
В некоторый момент времени скорость движения «тяжелых» электронов (скорость домена) оказывается равной скорости движения «легких» электронов:
v1 = v2, или ,
где v1 – скорость движения электронов за пределами домена; v2 – скорость движения электронов внутри домена, что соответствует скорости движения домена от катода к аноду.
Очевидно, что v1 < v0, так как Е1 < Е0. Поэтому после образования домена плотность тока через кристалл уменьшится до
.
Минимальное значение плотности тока через кристалл будет сохраняться в течение всего времени движения домена через кристалл или в течение времени пролета:
,
где l – длина кристалла.
При достижении анода домен исчезает, и плотность тока возрастает до значения , соответствующего отсутствию домена. Сразу после этого у катода формируется новый домен, и процесс повторяется. Временная диаграмма тока в цепи имеет вид (рис. 7.6).
Рассмотренный механизм действия прибора с междолинным переходом электронов соответствует пролетному режиму работы. В этом режиме работы, как было отмечено, электрическое поле в домене растет во время его формирования при одновременном уменьшении напряженности электрического поля за пределами домена. По этой причине в кристалле может образоваться только один домен, так как переход электронов из центральной долины в боковую может происходить только в домене, где суммарная напряженность электрического поля превышает пороговое значение.