Твердотельная электроника

1.     СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ


1.1.      Электропроводность полупроводников. Беспримесные и примесные полупроводники


1.2.      Носители заряда в беспримесных (чистых) полупроводниках


1.3.      Концентрация носителей заряда в полупроводнике. Уровень Ферми


1.4.      Носители заряда в примесных полупроводниках


1.4.3.      Равновесные и неравновесные носители


1.4.4.      Виды рекомбинации носителей


1.5.      Определение уровня Ферми через концентрации носителей заряда


1.6.      Дрейфовое и диффузионное движения носителей заряда


1.7.      Поле в полупроводнике


1.8.      Полупроводники в сильных электрических полях


2.     Контактные явления


2.1.      Электронно-дырочный переход


2.4.      ВАХ идеального p-n-перехода и отличия ВАХ реального диода


2.6.      Емкостные свойства р-n-перехода


2.7.      Методы создания p-n-переходов


2.8.      Контакт полупроводников с одним типом электропроводности


2.9.      Контакт металла с полупроводником


2.9.1.      Особенности переходов Шотки


2.9.2.      Особенности омических переходов


2.10.    Гетеропереходы


3.     ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ


3.1.      Области применения и классификация диодов


3.2.      Выпрямительные диоды


3.3.      Стабилитроны


3.4.      Диоды СВЧ-диапазона


3.5.      Импульсные диоды


3.6.      Варикапы


3.7.      Туннельные диоды


3.8.      Обращенные диоды


4.     БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ


4.1.      Физические процессы в транзисторах


4.2.      Принцип действия транзистора


4.3.      Схемы включения транзистора


4.4.      Статические ВАХ транзистора


4.4.1.      Вольт-амперные характеристики схемы с ОБ


4.4.2.      Вольт-амперные характеристики схемы с ОЭ


4.5.      Зависимость характеристик транзистора от температуры


4.6.      Усилительные свойства транзистора


4.6.1.      Усилительные свойства схемы с ОБ


4.6.2.   Усилительные свойства схемы с ОЭ


4.6.3.      Усилительные свойства схемы с ОК


4.7.      Схема замещения транзистора на большом сигнале (модель Эберса-Молла)


4.9.      Транзистор как активный четырехполюсник


4.10.    Типы транзисторов


4.11.    Частотные свойства транзисторов


4.12.    Импульсные свойства транзисторов


4.13.    Пробой транзисторов


4.14.    Параметры предельных режимов работы транзисторов


4.15.    Основные параметры транзисторов и система обозначений


5.     УНИПОЛЯРНЫЕ (ПОЛЕВЫЕ) ТРАНЗИСТОРЫ


5.2.      Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)


5.2.1.      МДП-транзисторы со встроенным ка­налом


5.2.2.      МДП-транзисторы с индуцированным каналом


5.3.      Полупроводниковые приборы с зарядовой связью


6.     Тиристоры


6.1.      Динисторы


6.2.      Диодный тиристор с зашунтированным эмиттерным переходом


6.3.      Тринисторы


6.4.      Тиристоры, проводящие в обратном направлении


6.5.      Симметричные тиристоры (симисторы)


6.6.1.      Способы включения тиристоров


6.6.2.      Способы выключения тиристоров


6.7.      Основные параметры тиристоров


7.     Полупроводниковые приборы на эффекте междолинного перехода электронов


7.1.      Принцип действия генераторов Ганна


7.1.1.      Физические основы отрицательного дифференциального сопротивления


7.1.2.      Эффект Ганна


7.2.      Параметры и свойства генераторов Ганна


7.3.      Генераторы с ограничением накопления объемного заряда


8.     Терморезисторы


8.1.      Термисторы прямого подогрева


8.1.1.      Принцип действия термисторов


8.1.2.      Характеристики и параметры термисторов прямого подогрева