Характерной особенностью выпрямляющего перехода Шотки в отличие от p—n-перехода является разная высота потенциальных барьеров для электронов и дырок. В результате, через переход Шотки может не происходить инжекции неосновных носителей заряда в полупроводник.
При включении такого перехода в прямом направлении (рис. 2.14, б) высота потенциального барьера для дырок (ПБД) в приконтактной области полупроводника понижается, дырки будут переходить из полупроводника в металл. Чем больше прямое напряжение, тем больше вероятность такого перехода дырок. Однако при этом высота потенциального барьера для электронов (ПБЭ), которые могут двигаться из металла в полупроводник, остается еще относительно большой. Поэтому поток электронов из металла в полупроводник будет относительно малым, т.е. практически не будет инжекции неосновных носителей заряда в полупроводник.
При другой полярности внешнего напряжения (при обратном напряжении) потенциальный барьер для дырок повышается (рис. 2.14, в), и их движение через переход прекращается. Для неосновных носителей заряда (для электронов в данном примере) поле в переходе оказывается ускоряющим. Поэтому, проходя через переход, неосновные носители заряда образуют обратный ток, который будет мал из-за малой концентрации неосновных носителей в полупроводнике.
 |
Если разница в работах выхода велика, то в приконтактной области полупроводника образуется инверсный слой (см. рис. 2.13, б). В этом случае при малых прямых напряжениях через такой переход будет происходить инжекция неосновных носителей заряда из инверсного слоя в прилегающий объем полупроводника. При больших прямых напряжениях инверсный слой может исчезнуть.
