Рассмотрим упрощенную структуру плоскостного p—n—p-транзистора (рис. 4.1).
В усилительных схемах на резисторах к одному переходу прикладывают прямое напряжение, к другому – обратное. При этом переход, к которому при нормальном включении приложено прямое напряжение, называют эмиттерным, а соответствующий наружный слой – эмиттером (Э); средний слой называют базой (Б) (рис. 4.1).
Второй переход, смещенный приложенным напряжением в обратном направлении, называют коллекторным, а соответствующий наружный слой – коллектором (К). На условном обозначении транзистора (рис. 4.1, б) эмиттер обозначают стрелкой, направление которой указывает тип проводимости.
Транзисторы изготавливаются различными методами (рис. 4.2).
Транзисторы, в которых площадь соприкосновения полупроводниковых слоев относительно большая, называют плоскостными, в противном случае – точечными.
Однотипность слоев коллектора и эмиттера позволяет при включении менять их местами. Такое включение называется инверсным. При инверсном включении параметры транзистора существенно отличаются от параметров при нормальном включении, в частности уменьшаются коэффициенты усиления прибора.
При изготовлении транзисторов эмиттер и коллектор выполняют низкоомными, а базу – относительно высокоомной (десятки – сотни ом). При этом удельное сопротивление области эмиттера несколько меньше, чем области коллектора.
Все положения, рассмотренные ранее для единичного р-n-перехода, справедливы для каждого из p—n-переходов транзистора.